三星量产第6代V NAND闪存:首创136层堆叠、传输速率业内最快

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3D NAND可不须要简单理解为“盖楼”,在占地面积固定的情况下, 楼层越高,容量也就越大。今天(8月6日),三星组阁 全球第两个多多多 投产超100层的3D NAND。

三星称,基于136层堆叠、256Gb(32GB)的第六代V NAND(3bit,也就是TLC)芯片6月量产,7月份,SSD进入量产,数据传输时延为业内最快。

首款应用超100层堆叠第六代V NAND闪存的是2100GB的SATA 3入门级SSD产品,性能提升10%、功耗降低15%、生产时延提升20%。

三星计划下半年推出基于512Gb第六代TLC的SSD和UFS闪存芯片,以满足更多客户需求。



三星V NAND迭代路线图

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